1、 满足的试验标准 lESD51-1 AEC-Q101 GJB128A MIL-STD-750 JESD22A-108 JESD22A-101
2、 满足的试验器件类型 二极管 MOSFET IGBT CMOS IPM 等功率器件 各类 IGBT 模块
3、试验系统的电气参数及功能 漏电流范围:10nA~1A(HTRB、H3TRB) 漏电流范围:1nA~2mA(HTGB)试验电压:10V~6000V(HTRB、HTOL) 试验电压:±30V-200V(HTGB、H3TRB)
4、 试验系统的容量及扩展 试验通道:8/16/24、可扩展 MAX 工位数:640/ 1280 /1960 老化板尺寸:280mm×500mm (器件不同会变化) 器件的封装类型:轴向/径向二极管、TO-247-3/4、TO-3P、TO-220 等,可以根据需要选择 老化板可以支持[敏感词]的封装类型,如 D-PAK(252)、D2PAK(263)E-mode、WPAK、POWER-PAK 等。 模块:IGBT 半桥、全桥等
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